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两步法插入层相关论文

新型氮化物InGaN沟道异质结构与HEMT器件研究

GaN基异质结构由于其自发极化和压电极化产生的沟道内二维电子气（2DEG）而得到了广泛的关注,以AlGaN/GaN异质结为基础的高电子迁移率......

学位

脉冲法金属有机物化学气相淀积异质结 InGaN沟道二维电子气迁移率两步法插入层双沟道高电子迁移率晶体管

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