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SiC MOSFET及Si IGBT串联短路动态特性研究
针对因器件击穿、控制失效等问题导致的串联短路现象,基于半桥结构分析了SiC MOSFET及Si IGBT不同的串联短路动态分压特性。同时,结......
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碳化硅MOSFET
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SiC MOSFET串联短路动态特性
在电力电子系统中,因器件击穿、硬件电路缺陷或系统控制失误导致碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)误开通时,桥臂......
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