碳化硅MOSFET相关论文
受内部寄生参数与结电容的影响，碳化硅（SiC）功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡，严重影响了SiC基变换器的......
由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。对于SiC MOSFET功率......
针对因器件击穿、控制失效等问题导致的串联短路现象，基于半桥结构分析了SiC MOSFET及Si IGBT不同的串联短路动态分压特性。同时，结......
以碳化硅（silicon carbide,SiC）MOSFET为代表的第三代宽禁带半导体器件,已广泛应用于开关电源、电动汽车和智能电网等领域。由于SiC ......
碳化硅MOSFET的短路坚固性是影响器件在高压高频功率变换领域应用的关键问题。在传统的碳化硅MOSFET栅源极短路研究中，依据器件关断......
结温测量是功率半导体器件热表征、可靠性研究、状态监测以及健康管理的重要基础,其中温敏电参数法响应快速且无需破坏封装,十分适......
为有效评估换流回路的寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立了考虑换流回路寄生参数的完整的碳化硅MOSFET开关暂态电路......
SiC集成电路相比于Si集成电路,具有耐高温、耐高压和抗辐照等优势,可工作在各种恶劣的环境中,广泛应用于航空航天、石油和天然气、......
碳化硅器件因其优异的材料特性,在耐温、耐压、高功率密度和高频性能方面展现出独特的优势。于此同时,被广泛应用于电力电子的硅器......
由于碳化硅MOSFET芯片生产制造工艺尚不够成熟,导致芯片参数分散性很大,使其在并联应用时的开关能量产生很大的差异.特别是在高频......
随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点.文章主要研究了1 200 V SiC MOSF......
SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果.通过在NO中......
在电力电子系统中,碳化硅(Si C)MOSFET的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性,并进一步影响......
在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注。由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂......
为了评估回路及封装寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立包括所有寄生参数的开关暂态等效电路模型,详细分析器件开通和......
为了综合利用碳化硅MOSFET与硅IGBT的优势,本文提出了一种并联混合开关,并对其动态特性进行研究。首先根据Datasheet上的转移特性......
随着电子电力技术的高速发展,半导体集成电路技术逐渐在工业、医疗、教育等领域中占据主导地位,半导体技术的发展离不开功率器件,......
目前碳化硅(SiC)功率开关器件已经开始商业化应用,以SiC肖特基二极管(SBD)和MOSFET为代表的开关器件,主要应用在逆变器、DC/DC等电......
针对微特电机控制器工作于舱内高温环境,提出了四种散热方案。详细对比了控制器热损耗的两种计算方法,基于模型的损耗计算方法更加......
相比硅IGBT,碳化硅MOSFET拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。碳化硅MOSFET应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增......
碳化硅宽禁带半导体器件因其损耗小、开关时间短以及温度特性稳定等诸多优点在中小功率变换器得到广泛关注。对比Si IGBT,SiC MOSF......
随着脉冲功率技术在生物医疗、食品加工、电磁成形、等离子体研究等领域日益广泛而深入的应用,脉冲发生器的研制面临高压高频化、......
为了更好地评估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的......
高压隔离双向DC/DC变换器模块是电力电子变压器电压隔离和变换中的主要环节。为提升模块高压侧直流工作电压,减少模块级联数量,降......
近年来,电力电子技术得以迅速发展,在电力工业中扮演日益重要的角色。尤其是在新能源大规模接入电网,柔性交、直流输电广泛使用的......
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无刷直流电机驱动电路是旋转导向系统的一个重要组成部分。而井下高温工况对驱动电路的温升控制提出了更高的要求。设计了一款基于......
功率半导体器件是电力电子技术的基础,是构成电力电子装置的核心器件。碳化硅(SiC)材料作为一种宽禁带半导体材料,具有高击穿场强......
详细分析了新型功率器件SiC MOSFET的结构特点及其寄生体二极管的反向恢复机理,推导了反向恢复过程的电压与电流计算;同时,搭建了......
为了准确反映SiC MOSFET在不同温度下的电气特性,对影响SiC MOSFET电气特性的关键参数进行了分析,提出了一种SiC MOSFET等效电路模......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实......
为了获取碳化硅（Si C）MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用A......
为改善碳化硅MOSFET开关瞬态特性,最大限度地发挥碳化硅MOSFET性能优势。首先,简单分析了开通电流过冲和关断电压过冲产生机理,并......
硅(Si)材料是目前电力电子器件的主要材料,对其的研究与开发已达到极限,因此对宽禁带半导体的研究已成为必然趋势。随着研究的不断......
学位
碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件,具有导通电阻低、开关速度极快的特点。本文分析了功率MOSFET在开关电源中的功率损......
碳化硅(SiC) MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,其性能在高温、高频、高功率密度的应用场合具有优于硅基功率半导体器件。然而,......
为在全温度范围内准确反映碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET的工作特性,提出一种基于Pspice仿真软件的SiC MOSFET变温度参数模型......
伴随着武器导弹系统的全电化快速发展,电传作动系统将成为新型舵面操纵机构。稀土永磁电机在结构及其性能方面的优势,使其成为未来......
高压电源是电力电子系统中的基本能量转换单元,在军事、科研、医疗、环境工程等方面表现得十分抢眼。它为高功率微波(HPM)源提供能......
碳化硅以其出色的材料特性受到人们的广泛关注,随着研究的不断深入,基于碳化硅材料的新型半导体器件也相继问世,其中碳化硅功率MOS......
悬浮斩波器作为磁浮列车悬浮控制系统的核心驱动装置,其能否高效可靠地运行直接影响整车的效率和安全。本文以长沙磁浮快线的悬浮......
准确测量金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor,MOSFET)开关损耗,是正确评估碳化硅(silicon carbide,SiC) MOS......
