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基于二次外延的p型栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管
p-GaN栅增强型HEMT(p-GaNE-HEMT)作为高频高效的中低压功率电子器件的一种优选方案,目前得到了国内外学术界和产业界的认可。提高......
学位
高电子迁移率晶体管
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二次外延
电力电子器件
大功率分布反馈半导体激光器研究进展
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
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半导体激光器
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