采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经......

系统地研究了高压下一系列TiSi2催化剂的可见光光热催化分解水制氢行为。研究结果表明,压力增加显著提高了TiSi2催化剂光催化分解......

通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2，从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGeHBT为例，采用TiSi2工艺的......