本文报道用As离子束混合形成WSi2的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi2的形成温度可大大降低.WSi2薄膜电阻......

根据固体与分子经验电子理论，对ＭｏＳｉ２和ＷＳｉ２相进行价电子结构分析，通过键距差方法，计算了ＭｏＳｉ２和ＷＳｉ２晶体中各键上的共价电子数。结果表明：ＭｏＳｉ２和ＷＳｉ２相是靠键距为......