以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌......

对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂，浸蚀时间，材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验．结果表明，在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20g（FeCl3）：5ml（HCl）：10......

掺钕钨酸钇钠晶体Nd：NaY（WO4）2是一种性能优良的激光晶体。对该晶体中的包裹物、生长台阶等缺陷进行了观察，并分析了缺陷产生的原因。......

在传统实验的基础上，利用ZnWO4晶体，同学们自己动手制备位错蚀坑样品，效果非常理想；实际运作过程锻炼了同学们的动手、分析能力，以及有......

采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生......