低温瞬态液相相关论文
随着以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料迅速发展和应用,以其为基础制备的功率器件具有耐高温性能,能在大于300℃℃或更高......
在相对较低温度下制备可用于高温服役的焊点,是现代电子封装的发展趋势和半导体行业的关注焦点。In-48Sn钎料较低的熔点不仅有利于......
学位
