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倾斜衬底相关论文
Al2O3和SiC衬底生长GaN质量对比及SiC衬底倾角对GaN质量的影响
GaN作为一种宽禁带直接带隙半导体材料,其室温下的禁带宽度约为3.45eV。近年来,GaN半导体材料因其在光电和大功率电子探测领域的突......
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MOCVD
GaN
蓝宝石衬底
SiC衬底
倾斜衬底
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