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偏置射频频率相关论文

FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化

由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中......

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等离子体刻蚀鳍型场效应晶体管(FinFET) 偏置射频频率离子能量分布(IED) 刻蚀选择比离子损伤

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