等离子体刻蚀相关论文
非球面柱面透镜是一种重要的微光学元件，具有激光准直、聚焦、匀化等功能，在激光通信、光纤传感、激光雷达测距、激光泵浦等系统中具......
石墨烯纸作为一种新兴的石墨烯类材料,基于其优异的热学与电学性能,在传感器、晶体管、清洁能源电池及热耗散复合材料中被广泛应用......
磁随机存储器（MRAM）是一种基于电子自旋性质实现信息非易失性存储的新型存储设备,是下一代通用存储器解决方案的有力竞争者。本文针......
铁电材料因其独特的铁电性、热释电性、压电性、电光效应等重要特性而成为一类重要的功能材料,被广泛应用于铁电存储器、红外探测......
等离子体刻蚀技术与薄膜沉积、光刻等工艺结合,通过精细的图形转移在衬底材料上形成微电子器件的微观结构,是半导体制造业中不可或......
健康是人类最普遍根本的需求,党的十九大报告提出以保障食品安全和积极应对人口老龄化问题为重点的“健康中国战略”,旨在为人民群......
近年来,超疏水表面由于其特殊的润湿性吸引了人们的广泛关注。本文概述了超疏水表面的两种润湿模型,并分析比较了超疏水纸张的制备......
本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
This article describes the various types of EC......
微纳米制造广泛应用于电子材料、生物医学、航空航天、军事等诸多领域,是推动新型产业发展的最为重要的技术之一。根据摩尔定律,特......
基于聚合物材料的波导型电光器件对提升光通信网络的带宽容量具有重要的意义。设计并制备了一种基于有机/无机杂化非线性材料的准......
金刚石薄膜具有一系列优异性能,使其在多种领域得到广泛的应用,但是常规CVD金刚石薄膜晶粒度较大,呈柱状生长,表面较粗糙,同时高硬......
二维微光开关已被广泛的应用于当今的光通讯领域，然而受微机电系统中的平面微加工技术的工艺限制，使得目前的二维微光开关仅能在二维......
普通光栅是一种多级衍射元件，存在高次谐波污染问题，作为单色仪使用时，其高次衍射会叠加在一级衍射上，形成高次衍射干扰。为避免单色仪......
本文阐述了微系统的发展过程，叙述了二元光学的研究现状和二元光学的成型过程，比较了几种不同的刻蚀过程方法。并且详细介绍了离子刻......
等离子体刻蚀技术因其较高的刻蚀速率、良好的方向性和材料选择性等优势得到了广泛应用。但在传统的刻蚀加工中，等离子体作用于整个......
研究射频辉光放电等离子体中各种粒子运动过程的目的是在于定量理解等离子体参量的时空分布和输运特性的规律,从理论上探求气体放......
CVD金刚石以其卓越优异的性能成为未来引人注目的工程材料。它已在硬质刀具、光学、热学、声学、微电子等方面得到广泛应用。但这......
超级电容是一种功率密度大、稳定可靠、绿色环保的新型电化学储能装置,具有很大的应用价值。薄膜石墨烯作为超级电容的电极材料,因......
银纳米颗粒在太阳能电池领域极具应用前景，受到广泛关注。例如，利用纳米银颗粒的局域表面等离子体共振效应实现对入射光子的选择吸收......
介绍了不同等离子体刻蚀条件对用于电解水制氢领域的Nafion(R)117膜的性能影响.测试经表面刻蚀处理的Nafion(R)膜的含水率、交换容......
针对X射线二极管平响应滤片的设计要求,采用电子束蒸发生长薄金层、紫外光曝光光刻、微电镀厚金层、体硅腐蚀制作镂空结构和等离子......
用苯作气源，采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了非晶含氢碳膜，并在该系统上用氧等离子体对这些碳膜进行了刻蚀性能......
研究了一种基于静电纺丝纳米纤维制备异质结薄膜的方法。采用静电纺丝技术在硅衬底上依次沉积PVP/CuCl2.2H2O和PVP/SnCl4.5H2O纳米......
采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断......
对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。本文介绍了如何将硅片干法刻蚀技术引入到设计性、研究性的普通物理实......
为了对传感器设计与制造中的刻蚀过程进行研究，本文利用等离子体～硅表面交互作用的动力学机制和算法的优化，建立了一种时空归一化的等......
以六氟化硫（SF6）作为刻蚀气体，采用不同的添加气体O2或N2分别进行了SiC薄膜的等离子体刻蚀（PE）工艺研究。实验表明，SF6中加入O2有助于SiC......
用直流辉光等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜，用氢的微波等离子体对其抛光截面进行刻蚀，研究了晶界对金刚石厚膜耐磨性的影响.结......
本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀,......
以CF4 Ar为等离子体刻蚀废气的模拟气体,利用发射光谱法分析F.含氟废气中F原子的发射光谱在600-800nm波段内的谱线为697.5nm和739.......
为获得具有优良场发射性能的金刚石锥阵列,利用偏压热灯丝化学气相沉积系统分别在高质量大颗粒金刚石厚膜与纳米金刚石薄膜上进行......
采用直流辉光等离子体化学气相沉积金刚石厚膜，利用氢的微波等离子体对抛光的金刚石厚膜截面进行刻蚀，用扫描电子显微镜、激光拉曼光......
以SF6/O2为刻蚀气体, 采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀......
讨论了利用等离子体技术净化CF4及其生成物的方法，分析了净化机理。由四极质谱仪的分析结果发现，CF4等生成物的谱峰强度随射频(RF)功......
在工业化生产中，常压等离子体对基体的改性的一个潜在问题是助剂被基体吸收或包覆于基体表面上，影响等离子体表面的改性效果．以甘油涂......
金刚石由于其独特的物理、化学和电学性质,以及以薄膜形式生长的可行性,是制造可靠、长寿命,微机电/纳米机电系统（MEMS/NEMS）材料的......
介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备，并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量......
介绍了器件损伤概念，强调了研究其的重要性，分析了它产生的原因以及减小或避免的办法。......
介绍了ICP工艺的特点、工艺原理,以及设备的基本结构。根据多年的设备维护经验,分析了ICP设备的常见故障及其起因,提出了处理措施;......
刻蚀图形的剖面形状、临界尺寸和均匀性等参数的控制仍然是等离子体刻蚀技术中需要解决的重要问题之一。建立一套等离子体刻蚀模型......
CVD金刚石膜因其极高的强度和耐磨特性在微机电系统（MEMS）领域具有极好的应用前景，然而其极高的硬度和化学惰性又使其很难被加工成型，......
<正>为了深入地研究纳米粒子受限体系和制备纳米材料,我们利用嵌段共聚物PS-b-PMMA的微相分离形貌和等离子体刻蚀技术获得了深度可......
低气压容性耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasmas,CCP)已经广泛应用于微电子加工工业的材料刻蚀及薄膜沉积工艺中。全世界各......
首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压......
【正】中微半导体设备有限公司(简称"中微")日前宣布在举办的第十六届中国国际工业博览会上荣获金奖。这一奖项彰显了中微10年来在......
等离子体刻蚀是金刚石膜的抛光、切割和图形化等加工过程中一项很重要的技术。本文综述了国内外等离子体刻蚀金刚石膜的研究成果。......
