光电导衰减法相关论文
用微波反射法测量HgCdTe中少数载流子寿命.分析了其测量原理,并与接触式的光电导衰减法进行了对比.结果表明,被测样品HgCdTe中的电......
红外高频光电导衰减法测试硅单晶少数载流子寿命是优越的方法;但使用GaAs:Si发光二极管(LED)时因其波长(0.94μ)太短不适宜作长寿......
本文介绍高频光电导衰减法硅单晶少子寿命测试技术的改进。利用红外发光二极管作为闪光源,获得了合适的光强和0.5～1微秒的短余辉。......
<正> 少数载流子寿命、电阻率以及腐蚀斑点是衡量半导体材料品质的主要因素.对于硅来说,由于表面复合速度高,电阻率变化范围大,因......
本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。......
铌酸锂晶体(LiNbO3,LN)具有较弱的光折变效应。在LN晶体中掺入Fe2O3,生长出的掺铁铌酸锂(Fe:LN)晶体具有优异的光折变性能。这些优......
