载流子寿命相关论文
热辅助光诱导衰减（LeTID）作为一种不可忽视的太阳电池效率衰减现象，其衰减机制和相关缺陷形态的演变过程亟需澄清。针对p型多晶硅钝化......
近年来,世界各国对太赫兹（terahertz,即THz）科学与技术这一光电交叉学科进行了广泛研究,并取得了丰硕的成果。太赫兹波在物体成像与......
目前以二氧化钛为基础的可见光半导体光催化剂仍然面临光生载流子转换效率低和化学稳定性差等重大问题;如何在保持化学稳定的前提......
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文......
高速光学摄影是目前工业生产、科学研究中十分重要的探测和记录手段,在微观领域的研究中显得尤为重要。现今大多数前沿科学研究,如......
红外探测器件是现代军用武器装备目标识别的核心构件。碲镉汞(HgCdTe)材料因具有材料禁带宽度可调控、探测波长范围最广等特点,在......
随着激光技术、微波技术和微电子技术的发展以及半导体工艺的不断改善,超高速光电子器件的工作速度、工作精度得到了空前的提高,在......
可溶液加工的单晶钙钛矿薄膜在载流子寿命方面优于其多晶对应物,因为较少的晶界导致载流子复合损失减少。而单晶钙钛矿纳米线是光......
针对多晶PERC太阳电池其较大的光衰效应会影响功率输出的问题,研究烧结曲线对多晶PERC太阳电池光致衰减效应的影响.在常规烧结曲线......
使用p+ n-n+外延结构制备了10 kV 4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根......
基于光子混频的连续太赫兹辐射源具有线宽窄、可调谐范围宽、结构简单、室温工作及价格低等优点，在太赫兹光谱、成像及传感等方面具......
胶体纳米材料的快速发展对开发新型的低成本、高效率的太阳能电池具有重要的影响。近年来，利用胶体法合成的半导体量子点以其杰出的......
本文以CH_3NH_3PbI_3材料制备的薄膜为对象,设计了15%、50%和90%RH三种湿度环境,研究了CH_3NH_3PbI_3薄膜材料在三种不同湿度环境......
学位
在硅器件制造过程中,过渡族金属作为最常见的杂质,很容易玷污到硅器件上。由于其在晶体硅中具有较高的扩散系数且固溶度对温度有强......
混合相新型材料微晶硅薄膜结构的多元化造成了其电输运性质的复杂性,输运机制对薄膜制备条件和薄膜结构有很强的依赖性,同时表现出......
近年来，半导体纳米线因为其准一维的结构特征，在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料......
文章提出了一种基于IGBT等效电路模型及其Ⅰ-Ⅴ特性曲线拟合提取IGBT低掺杂外延层载流子寿命的新方法.文中的IGBT模型运用精确的双......
采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为......
应用北京自由电子激光(BFEL)对典型的红外光电子材料Hg1-xCdxTe,InSb和InAs进行了非线性光吸收研究.利用FEL的高光子密度和皮秒量......
利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对......
利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mP ND1D ,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解 ,......
通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波......
期刊
文中分析半导体光放大器(SOA)的载流子寿命及增益特性,并用外加连续光缩短载流子恢复时间,从而加快载流子恢复速度,提高SOA的工作......
外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列（FPA）探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法（μ-PCD）分别在300K和85K温度下测......
人们在分析半导体光混沌系统的工作特性时,通常假定激光器中的载流子寿命为一常数(本文称为常数载流子寿命近似(CCLA)).本文从激光......
用微波反射法测量HgCdTe中少数载流子寿命.分析了其测量原理,并与接触式的光电导衰减法进行了对比.结果表明,被测样品HgCdTe中的电......
采用2种电阻率的钒掺杂半绝缘6H-SiC晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关,分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电......
探索了在空气中纺丝法制备高效率ZnO纳米纤维：P3HT：PCBM杂化太阳能电池的方法（简称ZnO：P3HT：PCBM电池），通过调控ZnO纳米纤维的纺丝时间，制......
利用飞秒激光泵浦探测技术,通过改变光学参数,如中心波长、功率,分别对未故意掺杂高纯n型砷化镓的差分反射谱进行研究,进而分析室......
水下无线通信在观察水下物种和生态的演化、开采水下资源以及国家国防等活动中起着至关重要的作用。水下可见光通信以其保密性强、......
利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结......
研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响，分析了制约载流子寿命减小的若干因素，综述了采用合理设计减小波导截面......
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掌握晶闸管反向恢复特性对改进晶闸管换流阀电压分布、降低换相失败具有重要意义。为研究晶闸管的反向恢复特性,文中从外部电路条......
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集成门极换流晶闸管(IGCT)物理模型中载流子寿命与器件动静态特性有着密切联系。现有基于器件关断拖尾电流的载流子寿命参数提取方......
对影响超快非线性干涉仪(UNI)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流及载流子寿命进行了数值模拟实验研究.由于SOA的增益与其注......
基于OPAL和PC1D仿真计算,研究n型背结晶硅太阳能电池中晶体硅原料的载流子寿命对其性能的影响,结果表明:随着n型晶体硅原料的载流......
采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cl∶Cu2O薄膜,通过光电流（I-t）测试、莫特-肖特基（M-s）曲线测试、光电压衰减测试（V......
建立了一套碲镉汞薄晶片加工过程中的少数载流子寿命面分布自动检测系统，用于碲镉汞多元光导器件制备工艺生产线，获得了１８０元器件性能分......
近年来,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的高压功率器件迅速发展。在SiC高压功率器件中,门极可关断晶闸管(GTO)具有高阻断电压、......
后硅基时代的电子科技发展中所遇到的一个至关重要的挑战是找到超薄的具有高电荷迁移率和可控带隙的沟道材料。70年多年前,Landau......
在单晶硅太阳能电池的制备过程中,通常利用碱溶液对晶体硅在<100>和<111>晶向上的各向异性腐蚀特性,在硅片表面形成类似于“倒金字......
三元化合物铝镓砷(AlGaAs)是一种可用于全光固体超快诊断技术的重要材料.基于低温外延技术的AlGaAs材料不仅具有低温生长砷化镓(lo......
