光触发晶闸管相关论文
宽禁带SiC以其优异的特性,成为制造超高压晶闸管的首选材料。SiC光触发晶闸管(LTT)因驱动电路简单、抗电磁干扰能力强,成为超高压......
电缆的局部放电量与其绝缘状况密切相关,局部放电量的变化预示着电缆绝缘可能存在危害电缆安全运行的缺陷.目前应用比较广泛的是电......
本文论述了荣信电力电子股份有限公司采用国际上最先进光触发晶闸管技术，自行研发、制造的国内装机容量最大（210Mvar）的静止型动态无......
作为中南交流/直流系统的一个部分,“贵-广”HVDC 系统将自中国西南部贵州省的安顺变电站,将3000MW电力经936 km 输送到广东省的肇......
目前在我国已有贵广Ⅰ、贵广Ⅱ、德阳-宝鸡等8条高压直流输电（HVDC）工程中采用激光脉冲直接光控晶闸管的直接光触发晶闸管（LTT）换流阀......
介绍了一种新型半导体器件——直接光触发晶闸管的特点和实现原理,并在实际应用方面重点介绍了SVC用光触发晶闸管阀及控制系统的特......
第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、临界雪崩击穿电场强度高、饱和载流子漂移速度大等优点,是制作高温、大功......
对光触发晶闸管应用中使用较广泛的一种特种光纤进行了性能分析，对该光纤的芯层与包层的掺杂和包层／芯层直径比等关键光学特性进行了......
