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输运增强相关论文
4H-SiC光触发晶闸管新结构研究
第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、临界雪崩击穿电场强度高、饱和载流子漂移速度大等优点,是制作高温、大功......
学位
4H-SiC
光触发晶闸管
注入增强
输运增强
放大门极
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