六方纤锌矿结构相关论文
采用水热法制备掺杂镓(Ga)的氧化锌(ZnO)导电粉体,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDX)等,对材料的组织结构、形......
氮化镓(GaN)是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、......
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红......
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法（PLD）在n型硅（111）衬底上生长ZnO薄膜.通过对薄膜进行的X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收（FTIR）、光致发......
采用常压化学气相沉积法（APCVD），分别以金属镓（Ga），铟（In）和氨气（NH3）为镓源，铟源和氮源，在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-x......
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外......
氮化镓(GaN)是一种优良的直接宽带隙Ⅲ-V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下氮化镓的禁带宽度为3.39......
采用电泳沉积法在Si（111）衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收（FTIR）谱、X射线光电子能谱（XPS）和扫描电镜（SEM）对样品......
氮化镓是一种良好的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一。在室温下，氮化镓的禁带宽度为3.4 eV，是制......
