本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀......

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及......

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在Si（111）衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷，并且V缺陷的两侧有相......