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关态电流密度相关论文
新型隧穿场效应晶体管TFET的探究
基于量子隧穿原理的带-带隧穿场效应晶体管(BTB TFET)是Intel预测的未来晶体管发展方向之一,其独特的带-带隧穿机理以及源极区和漏......
学位
硅基带内隧穿场效应晶体管
氮化镓基带内隧穿场效晶体管
带内隧穿
亚阈值摆幅
关态电流密度
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