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MgZnO异质结紫外光电探测器件的制备与内增益特性研究
MgZnO薄膜具有带隙可调范围宽(3.3eV至7.8eV可调),外延生长温度低,抗辐射能力强及其它优良的紫外光电性能,近年来成为了紫外探测领域的......
学位
立方MgZnO
n型掺杂
异质结
梯度带隙
内增益
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