n型掺杂相关论文
石墨烯作为一种单层碳原子纳米材料，其平面内碳原子以sp~2电子轨道杂化形成二维蜂窝状晶体结构，厚度仅有0.34 nm,具备优异的光电性能......
低维量子结构和材料以其在电子工业中广阔的的应用前景在近年得到了广泛的关注。基于密度泛函的第一原理方法则在低维材料的研究中......
半导体锗在被发现后的很长时间内都没有引起人们的重视,这是由于当时发现的含锗矿物很少,并且锗及其化合物的提纯制备在当时较为困......
有机电致发光器件（OLED）具备自发光、面发光、可在柔性基底上制备等优势,随着OLED材料和器件制备工艺的不断进步,OLED的成本逐渐下降......
学位
AlGaN材料作为第三代半导体材料在深紫外发光二极管（DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常广泛的应用前景。理论上,由非极性Al Ga N材......
学位
Si基高效发光器件是目前Si基光电集成回路最具有挑战的器件之一。Ge由于具有准直接带特性、高载流子迁移率、在1.55μm附近有高的......
以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品......
本论文采用Gaussian98程序,密度泛函B3LYP/6-311G**方法,首次在理论上对以PCl3为磷源,在常压氢气氛下外延生长N型硅的整个过程的微......
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。......
Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的......
以Ar、CH_4和CO_2为反应气源,以三聚氰胺的甲醇饱和溶液为掺杂源,用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅基体上制备了掺氮的金刚石......
钙钛矿太阳电池制备工艺简单,效率提升迅速,被认为是最具应用潜力的新一代光伏技术之一.近年来,大量研究表明,钙钛矿光电材料可以......
掺杂是改善有机半导体载流子浓度和电荷输运能力的有效方法.路易斯碱负离子电子转移掺杂有机半导体,逐渐发展成为了一种温和、可控......
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴......
立方氮化硼(Cubic boron nitride,cBN)是具有优异物理化学性质的超硬材料和宽带隙半导体材料。它的硬度和热导率仅次于金刚石,高温......
晶格常数在6.1A附近的Ⅱ-Ⅵ与Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的禁带宽度几乎连续覆盖了整个太阳光谱,将这些材料结合起来研制全光谱高效多结......
SiC IGBT作为一种MOS、双极复合型器件,兼具两者的优势,是一种理想的开关器件,然而一直以来制约SiC IGBT发展的一个重要的因素是沟......
该文采用恒电位法,以不锈钢片为基底,在苯胺+苯乙烯磺酸钠+高氯酸水溶液中,采用恒电位法电化学合成了聚苯胺复合物,并用循环伏安法......
有机发光二极管(OLED)将成为平板显示和固态照明的主流技术,更高亮度,更高效率,更长寿命将成为我们的研究目标。通过掺杂技术......
本工作采用Monte Carlo方法，根据辉光放电理论，利用“伪碰撞”技巧和重整化方法深入研究了低温合成金刚石薄膜过程中电子的角分布以......
SiC作为第三代半导体材料,有着许多优良的特性,因此它是目前研究的热点之一。其具有优良的热稳定性、化学稳定性和较高电子迁移速......
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,......
期刊
通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)......
氧化镓作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有较大的禁带宽度以及击穿电场强度,在功率器件中具有巨大的应用前景。通过掺入铝元素而......
钙钛矿太阳电池制备工艺简单,效率提升迅速,被认为是最具应用潜力的新一代光伏技术之一。近年来,大量研究表明,钙钛矿光电材料可以......
在有机发光二极管(OLEDs)30多年的发展过程中,器件结构设计和功能材料开发是实现器件高效率发光的关键。倒置结构器件被认为是实现......
摘要：为了能够有效地提高电子的注入和传输能力，改善有机电致发光器件的性能，本文利用CsN3作为n型掺杂剂，对有机电子传输材料Bphen进行......
对InSb分子束外延薄膜的本征掺杂、N型掺杂以及P型掺杂进行了研究,其中分别以Be作P型以及以Si、Te作N型的掺杂剂。实验采用半绝缘......
本工作采用Monte Carlo方法,根据辉光放电理论,对以H2S为掺杂源气体采用EACVD技术合成n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程进行了模......
将8-hydroxy-quinolinato lithium（Liq）掺入4’7-diphyenyl-1，10-phenanthroline（BPhen）作为n型电子传输层（ETL），将tetrafluro-tetracyano-......
ITO玻璃因为具有透光性好、易于制备等优点而广泛用作有机发光器件(OLED)的衬底和阳极电极，而OLED的顶电极通常使用不透明的金属阴......
相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效......
采用电化学循环伏安法，以不锈钢片为基底制备出ｎ型掺杂聚苯胺复合电极。考察了各种因素对电极制备的影响，报告了制备电极时的循环伏安......
本文采用ｆｓ脉冲饱和吸收光谱技术研究了温室下Ｓｉ掺杂ＧａＡｓ在电子激发态处于费密面附近时重空穴的超快弛豫特性。测量到重空穴的热化时间约为......
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×10^18 cm^-3。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍......
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算,研究了不同浓度N型掺杂锗的电子结构和光学性质.掺杂元素分别为磷和铋,并对掺杂后的......
通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.......
采用电化学循环伏安法，以不锈钢片为基底，制备了聚苯胺，苯乙烯磺酸盐复合膜电极，研究了电极的电化学行为，并用电化学方法和电子探针微区......
采用碳酸锂（Li2CO3）为n型掺杂剂,苝四甲酸二酐（3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride,PTC-DA）为母体材料,通过真空热蒸发方式......
本文分别采用溶胶凝胶法、沉淀法、水热法和固相法制备不同形貌ZnO以及n型和p型掺杂的ZnO粉体。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显......
利用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法，制备硫掺杂n型金刚石薄膜，利用光学发射谱技术对其生长环境进行原位诊断，分析合成机理及生......
基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米......
以化学气相沉积（CVD）制备的单层石墨烯为原料, 小分子三嗪为掺杂剂, 采用吸附掺杂的方式, 在低温下对石墨烯实现n型掺杂。利用拉曼光......
立方氮化硼因其具有高硬度、高的热稳定性和化学稳定性等优异的物理和化学性质，而倍受人们的关注。近几年来，立方氮化硼薄膜的制备和......
半导体材料的有效掺杂可为半导体器件的成功应用提供保障。理论上,通过计算缺陷形成能和电荷转移能级可以预测掺杂的难易性以及缺......
将8-hydroxy-quinolinato lithium(Liq)掺入4’7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为n型电子传输层(ETL),将tet-rafluro-te......
