净杂质浓度相关论文
采用区域熔炼生长单晶的方法提纯超高纯锗,采用镀碳膜石英舟为容器,提纯后的锗锭在液氮温度下检测净杂质浓度。实验讨论了区熔次数......
<正> 作为高纯锗核辐射探测器的锗单晶材料,要求其净杂质浓度小于2×1010cm-3。要想制备如此高纯度的锗单晶,首先要获得相当于净杂......
<正> 制备高纯锗单晶一般分为两个步骤。首先区域提纯锗至～1010cm-3的纯度,然后再把它拉制成净杂质浓度|NA-ND|≤2×1010cm-3的单晶......
本文阐述高纯锗材料的各项参数对探测器性能的影响,这些参数是导电类型、晶向、浅能级和深能级杂质、迁移率、位错密度及其分布和......
<正> 一、引言锗晶体作为半导体材料在电子学领域的应用已在不断下降,但它在核辐射探测器、红外光学及光导纤维等领域的应用却在稳......
介绍了一种检测超高纯锗棒或锭的净杂质浓度的新方法,采用直流两探针法,在77K恒温下进行检测;两探针检测得到等间距电压降U,通过函......
