区熔相关论文
本文用晶体区熔生长理论对激光加热基座法生长的单晶光纤形状稳定问题作了研究.说明了稳定生长的熔区长度与晶纤直径、源棒直径的......
采用高射频感应加热法以及光辐射加热悬浮区熔法分别制备了Nd2PdSi3多晶和单晶样品,并对比研究了它们的磁性能。研究得出:多晶样品......
直径为6英寸(151毫米)、长度为770毫米的半导体材料—区熔硅单晶,日前由天津市环欧半导体材料技术有限公司研制成功。这是我国所......
中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉......
应用自制的红外光弹装置,研究了直拉单晶和区熔单晶的应力分布。发现硅单晶中应力分布与位错及微缺陷有良好的对应关系。并发现硅......
尝试采用区域熔融的方法进行磷酸的提纯,研究砷、铁、钙、镁等杂质的分离效果,重点研究砷的分离。初步研究了区熔次数、熔区移动速......
研究了区熔N型（Bi2Te3）x-（Bi2Se3）1-x晶体通过热压方法制备BiTe基材料及其性能。对所获得样品进行了密度分析、抗弯强度测试、扫描电子......
悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si......
区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多......
在原有3英寸〈100〉区熔硅单晶生长工艺的基础上,通过适当的调整热场和生长参数,成功地在德国CFG4/1400P型区熔单晶炉上生长出了4......
热电材料是一种可利用余热废热回收发电的功能材料。开发新型热电材料,提高热电材料综合性能对于能源的利用有非常积极的意义。本......
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通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm（2英寸）N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2......
半导体硅光电探测器用的单晶硅要求具有非常高的纯度和晶格完整性,才能保证探测器能够实现暗电流低和直流、脉冲响应度高的目标。......
区熔工艺中各项参数的设置会直接影响高阻单晶的电阻率均匀性。在高阻区熔硅单晶生长时．通过采用下轴正、反向交替旋转的模式，可使直......
对硅烷热分解法制备多晶硅的工艺作了介绍,探讨了硅烷法制备电子级多晶硅的优势。硅烷CVD法所沉积的多晶硅,在电阻率、少子寿命、......
对工业纯电解钕分别进行了区熔提纯、固态电迁移提纯和区熔－电迁移联合法提纯的实验研究．结果表明：这三种提纯方法在分离金属钕中的Ｆｅ、......
根据区熔提纯稀土的数学模型 ,经过计算与分析 ,理论上得到有效分离系数、杂质初始浓度、熔区移动速度对区熔提纯的影响 ,及接近提......
大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件......
随着电力电子技术的发展，对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫．欧关主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于......
在无位错FZ硅单晶生长过程中,长＂硅刺＂是一种对单晶生长十分有害且常见的现象。单晶生长过程中一旦出现＂硅刺＂,如不能及时消除,会导致......
