本文在不同的电解液中、不同的阳极氧化条件下制备了阳极氧化膜,利用阳极氧化的电压-时间(v-t曲线)和电流-时间(i-t曲线)曲线对阳......

虽然GaN基高电子迁移率场效应管(HEMT)在高频大功率器件方面具有突出的优势并已经在应用领域取得了重要的进展,但由于GaN基HEMT器......

当 CMOS 技术进入到 45nm 技术代以后,将需要利用高 K 栅介质材料替代传统的 SiO2或 SiNxOy栅介质以克服其不可接受的高的栅泄漏电......

半绝缘GaAs光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有兼备宽频带和高功率容量特性，使其在超高速电子学......

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