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恒压应力相关论文

高K栅介质可靠性研究

当 CMOS 技术进入到 45nm 技术代以后,将需要利用高 K 栅介质材料替代传统的 SiO2或 SiNxOy栅介质以克服其不可接受的高的栅泄漏电......

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高 K 栅介质时变击穿应力感应漏电流恒压应力击穿机制载流子分离电荷俘获

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