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作为第三代半导体材料，碳化硅(SiC)具有带隙宽、电子饱和速度大、击穿电场强度和热导率高等特性；而一维纳米结构的SiC纳米线，具有了更......
聚合物纳米复合材料因其优良的介电性能在电介质绝缘领域得到了广泛的应用.为获得性能优良的绝缘纸,将纳米氮化铝(AlN)添加到芳纶1......
研究了不同温度下表面氟化对聚醚酰亚胺(PEI)薄膜表面形貌、微观结构、耐热性能和绝缘性能的影响。结果表明,氟化后,在PEI薄膜表面......
1SiC半导体元件的优势目前，大功率半导体往往采用硅（Si）材料，但Si的开发已达到物理极限，要再大幅度提高其性能较困难。碳化硅（SiC）材料的......
本文是探讨高分子绝缘材料击穿电场强度与化学结构和固体结构之间的关系,文中研讨了击穿电场强度与极性基、分子量、分子形状交联......
