碳化硅纳米线相关论文
SiC 纳米线具有吸波性能强、作用频带宽、密度低的优点，但是由于 SiC 较差的阻抗匹配条件和较低的电导率，影响了其吸波性能的进一步......
碳/碳（C/C）复合材料在服役过程中基体热解碳（PyC）强度低、脆性大，导致基体开裂、界面层脱黏等结构失效现象频发，严重限制其在特种环境中......
碳化硅纳米线具有优异的电磁吸收性能,三维网络结构可以更好地使电磁波在空间内被多次反射和吸收。通过抽滤的方法制备得到体积分......
碳化硅（SiC）陶瓷是一种共价键组成的陶瓷,其晶格类似于金刚石的正四面体构造,因而使它具有高强度、高抗热震性、高耐磨性、低热膨胀......
随着雷达探测技术的发展,飞行器的隐身性能成为影响其安全性以及战场生存与突防能力的关键因素。此外,伴随飞行速度的提高,飞行器......
碳/碳复合材料（C/C,碳纤维增强热解碳基体）具有低密度、高比强、高比模、低的热膨胀系数、耐腐蚀及独特的高温力学性能,在航天航空等......
通过在碳化硅纤维表面原位生长纳米线得到具有多级增强结构的碳化硅复合材料,对复合材料引入纳米线后的微观结构、弯曲强度以及损......
功率密度的大幅增加,使得集成电路单位面积的热量持续升高,热管理系统作为航天电子大功率器件的重要组成部分,成为制约高速飞行器......
随着半导体芯片特征尺寸的减小和电子元器件封装密度的提高,电子产品内部单位体积上的功率密度也急剧上升。如果电子产品工作时产......
碳化硅（Si C）纳米材料用作吸波材料具有密度低、热传导率高、机械性能好、热膨胀系数低和化学稳定性好等特性,其不仅在隐身战机领域......
电磁波的广泛应用为人们的日常生活提供了极大的方便，但是也会带来电磁辐射、电磁泄露及电磁干扰等负面效应。因此，发展高效、高频、......
随着对纳米材料的深入研究,发现纳米材料具有许多独特且优异的性能,并开发出了一系列结构功能一体化的纳米器件。为实现纳米材料的......
利用化学气相沉积法原位生长Si C纳米线,制备出Si C纳米线增强Si Cf/Si C复合材料。研究了Si C纳米线及Si C纳米线/基体热解碳界面......
碳化硅(SiC)陶瓷材料因具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀以及耐摩擦等一系列优异的性能，被广泛应用于航天航空、机械电子、石油......
由于单壁纳米管是具有中空结构的一维纳米材料,可作为制备新型一维纳米材料的模板，如利用碳纳米管的毛细现象可以将某些元素填充碳......
以石墨粉提供碳源,正硅酸乙酯提供硅源,在催化剂硝酸镍的作用下,通过溶胶-凝胶法和碳热还原法制备纯的碳化硅纳米线.采用X射线衍射......
碳化硅（SiC）是典型的第3代半导体，也是目前最重要的半导体之一，由于其具有高强度、高硬度、热膨胀系数小、抗氧化性强、热导率大、耐磨......
作为两种性能优越的宽带隙半导体材料,氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)材料具备了卓越的物理化学性质、力学以及光学性质,二者的块体材料......
闪锌矿结构碳化硅（3C-SiC）具有合适的禁带宽度（2.4 eV）、优良的化学稳定性、高的载流子迁移率及环境友好等特点,在光催化领域拥有潜在......
光电催化还原CO_2的核心是制备出既有高催化活性又有长时间电解稳定性的光电催化材料,而CO_2是偶极矩为零、呈三原子直线型结构的......
一维材料以其独特新颖的物理、化学和生物特性在微纳电子器件方面的具有巨大的应用潜力，越来越受到当今纳米科技领域的重视。基于低......
一维纳米材料作为纳米器件的基本结构单元,引起了世界各国的广泛重视。本文针对当前国际上一维单体纳米材料力学等性能研究的瓶颈......
作为第三代半导体材料，碳化硅(SiC)具有带隙宽、电子饱和速度大、击穿电场强度和热导率高等特性；而一维纳米结构的SiC纳米线，具有了更......
以碳化细菌纤维素为模板和碳源，通过气相渗硅法制备碳化硅纳米线。x射线衍射和扫描电镜（SEM）研究了碳化硅样品的结构与形貌，结果表明所......
选用具有长、直形貌的陶瓷基纳米纤维即碳化硅纳米线（SiCNW）作为增强体,通过对SiCNW含量的优化与电纺液的制备,研究SiCNW的引入对电......
反应烧结工艺具有烧结温度低、工艺简单、制造成本低等特点,是制备陶瓷复合材料的常用工艺之一。反应烧结碳化硅(Reaction Bonded ......
通过先超声波振荡再浇注成型的方法制得了长径比不相同的SiC纳米线/环氧树脂复合材料。通过力学性能测试及X射线衍射仪,扫描电镜和......
近年来,半导体纳米线由于具有独特的电学、光学及力学等性能,在新型纳米光电子器件领域拥有广阔的应用前景,因而引起了研究者的极......
以聚碳硅烷为原料,通过1 200 ℃高温裂解工艺制备了碳化硅纳米线,并采用碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极材料,进行了电子发射......
碳化硅纳米线具有高热导率、高化学稳定性、超塑性、耐高温、耐腐蚀和独特光学、电学性能,在高强复合材料、纳米电子器件、光子器......
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石墨烯是一种以sp~2杂化碳原子组成的平面六边形网格状蜂窝结构的二维纳米材料,拥有较高的电子迁移速率、比表面积,且结构性质稳定......
碳化硅(SiC)因其特有的宽带隙、高温导电性、很高的击穿电压及杨氏模量等物理性能及极佳的抗氧化及腐蚀性和高温稳定性等特点受到......
随着智能电子设备和电动车辆的迅速普及,对于拥有更高能量密度的锂离子电池(LIB)的需求迅速增长。硅是一种极具潜力的新型负极材料......
耐高温胶粘剂作为一种方便有效的连接手段,是飞行器设计的重要组成部分。随着航天技术的不断发展,高速度、高精度、隐形化的高超声......
现代航空航天技术的发展促使世界各军事大国极力加强高马赫数高超声速飞行器的研发。发展高超声速飞行器迫切需要开发具有轻质多孔......
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超级电容器是一种介于电池和传统电容器之间的新型储能设备,其具有高功率密度、高循环稳定性等的优点,但是超级电容器的能量密度较......
碳化硅(SiC)具有宽禁带、高硬度、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、强抗氧化性和化学稳定性等优异性能。一维SiC纳米材料除保......
碳化硅（SiC）半导体材料是继第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代宽带隙半导体材......
碳及碳化硅低维纳米材料具有新颖的物理、化学、生物特性以及在纳米电子器件中的潜在应用,日益成为当今低维纳米材料研究领域中的......
剪切增稠液是由纳米颗粒和分散介质组成的高浓度纳米颗粒悬浮液,在受到冲击载荷时其粘度会急剧增大,甚至转化为类固体状态,而当载......
碳化硅(SiC)半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热稳定性好、热导率和饱和电子漂移速度大等特点,使其在高温、高频、强辐射、......
准一维硅纳米结构包括硅纳米线和纳米锥等。由于其奇特的物理和化学性质并且将可能在光致发光、生物传感器、场效应管、太阳能电池......
<正>中国科学院深圳先进技术研究院材料界面研究中心喻学锋研究员及其团队主导的研究[1]在稀土配位的黑磷方面取得进展。近年来,与......
