利用半导体材料波长易调节的特点,设计了AlGaInAs/GaAs/AlGaAs压应变量子阱结构,得到760、800、860、930和976nm 5个波长激射的半......

对条形激光器漏电流进行了理论分析,结果表明,漏电流占注入电流的比例随着激光器条形台面宽度的增大而降低,因此实验中采用宽条形......

利用V80型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构.测试结果表明,该结构晶格和光学质量符合设计要求.制......