刻蚀速度相关论文
本文报道了用于释放聚酰亚胺牺牲层的氧气等离子体刻蚀工艺.研究了材料特性、工艺条件对刻蚀速度和释放结果的影响.结果表明,PI-5......
本文给出了使用国产ICP设备制作GaN台面的实验结果,经过实验选定的工艺条件为:充气前真空度5×10Pa;Ar流量60sccm;CClF流量60sccm;......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比......
报道了碲镉汞干法刻蚀技术的刻蚀速率的一些研究结果。在同样的刻蚀条件下,当刻蚀区域的图形面积过小,刻蚀剂不易进入刻蚀区域,生......
对氮化硅阻挡层或ARC层的去除通常使用在高温磷酸溶液中选择性氮化硅刻蚀.简要地阐述氮化硅刻蚀的工艺特性,及对氮化硅刻蚀后氧化......
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采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3（TST）的刻蚀特性，重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF／Ar的比例、压力和功率等工......
