功率MOS栅驱动集成电路相关论文
高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量，然而，由于结构上不是完全电隔离的，对噪声自然敏感，用于驱动感性负载时，开关......
文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路.该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1 A,最高......
