电平位移相关论文
功率MOSFET是应用最为广泛的功率器件之一,功率MOSFET及其驱动电路广泛应用于工业机器人、工业控制设备、家电、无人机、新能源交......
栅驱动电路（Gate Driver）主要用于对功率半导体器件的开关控制,目前应用的主流对象是Si材料器件,但随着GaN、SiC等第三代半导体材料......
提出了一种新型低功耗、高稳态电平位移电路.该电路能将5V输入电压转换为10 V输出电压,在电路的初态和电平转换过程中均保持高稳态......
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方......
基于低压BCD工艺,与华润上华合作开发了1μm 600VBCD工艺平台,可以集成600V高压LDMOS和高压结终端。基于此工艺平台,设计了一种高......
基于高压栅驱动电路,提出一种高速工况下的改进结构,以克服不确定的错误输出。新结构包括高速工况保护技术和一种能够消除R/S触发......
提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路.该电路使用了耐压5V的CMOS器件.通过对常规电平位移电路进行分析,提出了优化改善的......
高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量，然而，由于结构上不是完全电隔离的，对噪声自然敏感，用于驱动感性负载时，开关......
文中设计了一种应用于Class D音频放大器中高性能PWM控制。该控制能够在较宽的电源电压范围内，使调制锯齿波的输入电平及音频输入信......
设计并实现一种耦合式C型（coupled）高压电平位移结构，避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线（HVI）跨过器件源侧及高压结终端时的两处高......
智能功率集成电路在工业自动控制、医疗器械、汽车电子,特别是军事、航空航天等领域有着广泛的应用。本文设计并实现了一款基于自......
因为IGBT兼具MOSFET压控门级驱动特性和双极型晶体管的大电流、低导通压降特性而被广泛应用于中高功率、中低频率变流器中。为了提......
介绍了一种基于电平位移技术实现恒定跨导的CMOS Rail-to-Rail运算放大器。该电路克服了一般运算放大器输入共模范围小的特点,输入......
本文设计了一种可应用于高频开关电源、电机控制的高速、高压半桥驱动电路,其具有可驱动两个中功率MOSFET或IGBT管、实现DC/AC逆变......
IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有开关速度快、耐压高、承受电流大、热稳定性好等特点，近年来成为电力电子领域内的热点，与其相应的I......
微型化、智能化已经成为功率半导体的发展趋势，智能功率集成电路（SPIC）正是在这种趋势下得到了快速发展，目前SPIC已广泛应用于照明、工......
本课题来源于国家重大科技02专项“新型节能驱动与汽车电子芯片工艺研发与产业化”。本文设计了该子项目中一种基于600V BCD工艺平......
通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性.运用MEDI......
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