半导体开关相关论文
中国核聚变工程实验堆(China Fusion Engineering Test Reactor，CFETR)是我国下一代超导聚变实验项目，开关网络单元(Switch Network ......
该文以气体火花开关和半导体开关这两种开关为主要研究对象.该文首先综述了脉冲大电流开关的特性、工作原理以及近年来脉冲大电流......
大功率超高速半导体开关RSD(Reversely Switched Dynistor)在微秒和亚微秒量级的高压大电流领域具有明显的优势,开通时的速度很快......
本文介绍了脉冲功率技术的基本概念,归纳了脉冲功率技术领域开关器件的种类与其特性,指出了大功率超高速半导体开关RSD(Reversely ......
提出用带有半导体光学放大器的塞纳克干涉仪开关对全光波长和脉宽变换。这种开关结构简单,开关速度不受半导体载流子恢复时间限制......
为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓......
运用谐振电路原理,设计出一种用于脉冲变压器高电压、大电流脉冲开关RSD(Reversely Switched Dynistor)的触发电路.重点设计了控制......
高功率半导体快速开关器件-FID（Fast Ionization Dynistors快速离化二极管开关）在高功率微波、超宽带技术等方面具有较广的应用。本......
随着脉冲功率技术在新型粒子加速器、生物细胞实验仪器等领域拓展应用,对脉冲功率发生器高重复频率、短脉冲、脉冲参数灵活可调提......
采用光电信号作为前级控制触发脉冲，驱动后级高压开关管输出高压脉冲信号的思路，设计了一台脉冲幅度为500～1000V、脉冲宽度大于500ns......
文章由等离子体双极漂移方程和临界预充电荷条件出发，得出高速大功率半导体开关RSD的di／dt耐量表达式。从外电路和器件结构本身两方......
根据TEACO2脉冲激光器的应用特点,用一种新型的反向开通半导体开关RSD代替常用的三电极球隙开关进行脉冲功率转换.理论分析和实验......
针对有源电子标签及传感器节点低功耗唤醒模块的需求,设计了一种基于微波整流的半导体开关无线控制方法。通过微波整流之后的直流......
对半导体开关在这种超限条件下的单次使用情况进行了研究,尤其对级联状态多次试验.试验结果显示,额定电流为30 mA的半导体开关可以......
在煤矿中，牵引车的受电弓子与架线和轮与轨之间，在牵引机车运行中，由于车辆运行问题或其它不稳定的接触条件，会造成拉弧现象发生。采用......
基于独特结构和物理特性的两类高性能新·型高压半导体开关漂移阶跃恢复二极管和快速离化开关，提出一种新型高功率高压纳秒电磁......
全固态直线型变压器驱动源（ L TD） 是具有独特性能的新型高重频脉冲功率发生器.针对L TD的基础特性进行了较详细的实验研究.测量内容......
从电磁能量形态的相似性观点出发，探讨了基于固态开关器件的脉冲产生方法。针对小型化高重频脉冲功率发生器的需求，提倡采用电感储能......
介绍了矿井127 V供电系统快速断电保护的安全技术,通过实验收到了良好的经济效果....
通过拉氏变换求解了在高斯光脉冲激励下光导开关的载流子连续性方程,获得了载流子随时间和器件深度变化的解析表达式,再推导出光导......
利用自行研制的固态半导体开关RSD,采用电容储能方式,研究了RSD的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等.在测试RSD的电压响应时......
介绍了全固态高压快速离化半导体开关（FID）的工作原理和半导体结构，实验研究了在不同外偏置电压下的输出脉冲幅度特性和脉宽压缩特性，......
简述了脉冲功率开关的发展及国内外脉冲功率晶闸管产品的现状,并详细介绍了国内的脉冲功率开关产品及其特点。阐述了脉冲功率晶闸......
高压脉冲电源是产生低温等离子体的重要手段,在放电等离子体领域有着广泛应用。针对该领域对脉冲电源高功率密度、小型化要求的不......
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体......
微波整流技术是实现微波无线能量传输与获取的关键技术,该技术通常采用半导体二极管将天线接收到的微波频段的能量转换为直流供电......
半导体断路开关SOS(Semiconductor Opening Switch)是一种脉冲功率断路开关,它具有大电流、高电压、高di/dt、长寿命和高重复频率......
国内外脉冲功率技术的一个重要的发展趋势,即高功率、长脉冲、高重频以及小型化,由此以半导体器件为基础的全固态脉冲功率技术得到......
