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部分耗尽SOI器件研究
本文研究了部分耗尽SOI器件,主要的研究成果包括: 1)研究了背栅沟道注入对于浮体和体接触部分耗尽CMOS/SOI器件击穿特性的影响,......
学位
部分耗尽SOI器件
击穿电压
半背栅沟道注入
动态阈值晶体管
制备工艺
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