本文研究了部分耗尽SOI器件，主要的研究成果包括：　　 1)研究了背栅沟道注入对于浮体和体接触部分耗尽CMOS/SOI器件击穿特性的影响，......

研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随......

对比研究了20μm/0.35μm的SOI(绝缘体上硅)普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性。从20~125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而D......

分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘......