半背沟道相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

半背沟道相关论文

采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压

制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs．测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说，在提高击......

期刊

部分耗尽SOI 半背沟道击穿翘曲效应 PDSOI HBC breakdown kink effect

看过本文同时还关注