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以65nm双阱CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的SRAM(Static Random Access Memory)为研究对象,采用三维数值模......
为减少单粒子效应对存储器造成的数据错误影响,目前卫星上多采用汉明码编码方式实现的错误检测与纠正(EDAC)系统进行数据保护。为......
器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM（static random access memory,静......
近年来随着商业航天的发展,空间飞行器计算机系统开始大量使用工业级甚至商业级电子元器件,这种设计带来众多优点的同时却存在一个......
为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提......
随着国家航天事业的发展和战略需求的增加，半导体器件的抗辐射性能问题受到了广泛的研究，而单粒子效应作为影响宇航器件可靠性的关键......
