临界电荷相关论文
目前,电路级单粒子效应仿真主要使用Hspice软件或者Hspice与Dessis的混合模拟仿真,但是GaAs HBT数字电路大多是在ADS中设计.本文使......
随着集成电路的迅速发展,软错误的问题已经不可忽视,而多米诺逻辑作为集成电路里的基本单元,也是较容易受到空间粒子轰击产生软错......
随着制造工艺技术的不断发展，器件的结构尺寸不断缩小，存储单元灵敏区的体积及其发生单粒子翻转的临界能量随之减小，高能粒子辐照......
随着越来越多的半导体器件和集成电路应用于航空航天领域，它们在空间辐射环境中工作的可靠性和持久性等问题成了人们关注的重点，越来......
针对目前SRAM存储单元所面临的α粒子注入引起的软错误问题,首先采用一个简化的反相器模型,模拟其在α粒子注入时的输出变化;然后......
利用MC工具Geant4研究核反应对于半导体器件单粒子翻转效应（SEU）的影响,构建了研究的一般方法。辐照过程中电学与核反应物理过程的作......
针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究。数值仿真结果表明器件临界电荷随......
文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转（SEU）电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引......
应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转......
采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的M0s晶体管，计算了由这些晶体管组成的静态......
随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的......
PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷（Critical Charge）是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2μm抗辐照工艺提取的PDSOI M......
建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0．13～1．50μm）CMOS工艺商用随机静态存储器（SRAM）器件开展了反应堆中子单粒子翻转效......
针对电荷分布于液滴表面和液滴体内二种带电模型,使用能量分析法,讨论带电液滴的稳定性问题,并且推导出临界电荷的表达式.......
集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下，芯片集成度不断提高，电压不断降低，软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。......
本文报道了为确定CMOS/SOS辐照加固16K存储器中临界电荷Qc与特征尺寸（沟道长度L）的依赖关系所作的实验尝试。单击事件扰动（SEU）实验是......
目前,集成电路制造工艺进入纳米时代,软错误问题已经成为影响集成电路可靠性的主要因素。同时,栅氧化层厚度随着工艺进步逐渐减小,......
随着国家航天事业的发展和战略需求的增加，半导体器件的抗辐射性能问题受到了广泛的研究，而单粒子效应作为影响宇航器件可靠性的关键......
