厚栅氧相关论文
核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础......
实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/Si O2表......
报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区......
本文研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压PMOS器件.首先利用SynopsysTCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.......
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量；导......
实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面......
研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.......
报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区......
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;......
