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双大马士革铜互联结构相关论文
55nm金属硬掩膜一体化刻蚀工艺的研发和优化
随着超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸不断缩小,为降低RC延迟的影响,后段集成普遍采用低介电介质材料(Low-k材料)双大马士革铜互......
学位
双大马士革铜互联结构
低介电介质材料
金属硬掩膜一体化刻蚀
过刻蚀
刻蚀残留
副产物残留
缺陷
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