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随着超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸不断缩小,为降低RC延迟的影响,后段集成普遍采用低介电介质材料(Low-k材料)双大马士革铜互......
本论文开发并优化了0.18微米技术侧壁（Spacer）的干法刻蚀工艺,通过利用公司现有设备,改进原工艺不足,开发出满足产品要求的刻蚀工艺......
肖特基二极管正面顶层金属结构设计为Ag、Ti、Ti-W、Ni-Cr四层金属,四层金属在单层湿法刻蚀过程中必须选择刻蚀本层不刻蚀其它层金......
氮化钽薄膜在微电子工艺中的应用比较广泛：在标准CMOS后道的铜互连技术中,作为阻挡层被应用；由于氮化钽与高K介质的良好兼容性,在45n......
