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双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的......
期刊
微电子学与固体电子学
双槽栅
SOI LDMOS
电学特性
制造方法
SOI横向高压低通态电阻MOS型器件研究
随着SOI技术不断发展成熟,SOI高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度快、高温性能好和抗辐照等优点已成为功率集成电路的重......
学位
SOI
横向高压功率器件
击穿电压
通态电阻
双槽栅
P埋层
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