通态电阻相关论文
半绝缘GaAs非线性模式(Lock-on模式)可以由激光触发,也可以通过电子束注入触发。在GaAs光电导开关中,非线性模式能够带来极大的电......
研究了研削工艺中磨轮目数对被减薄碳化硅(SiC)表面和欧姆接触的影响,并基于减薄工艺和激光退火工艺成功制备出170 μm薄片SiC肖特......
基于GaAs光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switch:PCSS)和火花隙开关串联的新型组合开关,GaAs PCSS作为火花隙开关的触......
基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已......
GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件，如光导开关在介质壁加速器中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响，采用平板......
利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI，研究了工艺参数对DC—DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以......
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻.计算沟......
英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super—S08和S308（ShrinkSuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N......
简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理......
针对直流电动机驱动控制系统中续流管功耗大、工作安全性低的问题，提出了基于同步续流原理的电动机驱动控制系统设计方案，建立了续流......
GaN基功率电子器件因其具有开关速度快、开关频率高、工作结温高、通态电阻小、开关损耗低等优势,适合应用于新型高效、大功率等的......
英飞凌科技近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,......
新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层，以降低栅电容，从而改善器件的开关速度，尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿......
近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块通过键合引线实现与外电路的电气连接,并联的铝键合线若发生脱落现象,会导致模块的等效通态电阻增大......
随着社会发展,以永磁同步电机为控制对象的交流伺服系统在人们的日常生活、工业生产和国防建设等领域日益得到广泛的应用。然而,一......
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