肖特基势垒二极管相关论文
太赫兹波拥有众多优良的特点和巨大的应用价值,其在天文探测、大气遥感、材料科学、安全检测、生物医学、雷达系统、无线通信都有......
氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
氮化镓材料具有大的禁带宽度（3.4 eV）、高的击穿场强（3.3 MV/cm）,在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结......
第三代半导体材料碳化硅（Silicon Carbide,SiC）具有禁带宽度大、击穿场强高、中子俘获截面小和离位阈能高等特性,这使得SiC器件在航......
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分，是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时，针......
氧化镓（Ga2O3）材料作为新兴的超宽禁带半导体材料,由于其高达4.9eV～5.3eV的带隙产生的优良特性,如超高的巴利加优值、高的击穿电压等......
氮化镓材料具有大的禁带宽度（3.4 eV）、高的击穿场强（3.3 MV/cm），在高温、高压等方面有良好的应用前景．尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构......
GaN电力电子器件具有高效率、小尺寸、低损耗的优势,近年来华为、小米等企业推出了100多款手机快充,并在电动汽车、激光雷达、包络......
氮化镓（Gallium Nitride:GaN）具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性能,还能与氮化铝（Aluminum Nitride:AlN......
随着信息技术的发展,无线电力传输作为一种重要的电源技术而引起了人们的广泛关注。肖特基势垒二极管（Schottky batrrier diode,SBD......
采用微波等离子体气相沉积(MPCVD)在商用3 mm×3 mm×1 mm高温高压合成(HPHT)Ib型(100) 金刚石衬底上同质外延生长B掺杂金刚石薄膜......
为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基......
近年来,AlGaN/GaN肖特基二极管具备开关速度快、击穿场强高、热性能好等优点,在电源开关领域具有重要应用价值,然而AlGaN/GaN SBD......
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,由于其禁带宽度大、临界击穿电场高、导热率高等优势,使其在功率半导体领域表现出巨大的潜......
移动电子产品、智能家电产品、光伏电站、数据中心、电动汽车等对高效率、大功率及紧凑型电源提出了越来越迫切的需求。以氮化镓(G......
提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证.与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬......
随着微电子技术和航空航天技术的发展,DC/DC转换器广泛应用于航天等辐射环境中,其在辐射环境下的可靠性保障问题成为人们研究的热......
金属-绝缘体-碳化硅(MISiC) 肖特基势垒二极管(SBD)高温气体传感器由于可以工作在高温下、体积小、功耗低、响应速度快、控制电路......
随着温室效应以及能源短缺等问题的日益严重,寻找发光效率高的光源来降低照明领域的能源消耗变得日益迫切。发光二极管(LED)相对于......
近年来,准一维纳米结构成为当今纳米科学的研究热点。它们既可以作为模型材料用于研究低维尺度下基本的物理过程,又可以作为组件构......
受魔-T特性的启发,不同于传统的平衡式微带-槽线0/180°移相器双平面结构,文中采用平衡式共面波导-槽线转换方案,应用肖特基势垒二......
为了增强器件高温条件下的适应性,对4H-SiC双层浮结肖特基势垒功率二极管的温度特性进行了研究。结果表明,当温度变化时,器件的阻......
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖......
在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极......
采用1MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应。实验的最高中子剂量为1×l015n/cm......
介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz。该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚......
为了了解各厂家晶体管-晶体管逻辑(TTL)74LS00与非门芯片输入特性,以利于电子设计应用和大学教学的目的,采用由"二极管(D)串联电阻......
在面向后硅时代的研发中，SiC元器件比GaN元器件领先一步投入实际应用（见图A-2）。英飞凌科技公司已经上市了肖特基势垒二极管，并且在200......
采用N2O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术,对传感器的响......
分析了金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的响应机理,将SBD热电子发射理论和氢吸附-解吸理论相结合,通过考......
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管.测量了器件的电流-电压特性,并分析了器件偏离理想情况的原因.......
采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触，离子注入形成结终端扩展表面保护，研制出Ni／4H—SiC肖特基势垒二极管（SBD）。......
为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用......
肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是上世纪问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件.其反向恢复时......
介绍了SiC MESFET器件的技术和性能.用SiC材料制造的MESFET的射频功率密度达到4.6 W/mm,功率增加效率(PAE)达到65.7%,击穿电压超过......
采用新颖的NO和O2＋CHCCl3（TCE）氧化技术制备金属-绝缘体-SiC（MISiC）肖特基势垒二极管（sBD）气体传感器的栅绝缘层，研究了传感器的响应特性。......
采用微电子平面工艺,高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,二级场限环终端表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二......
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的......
介绍了RS-232接口与RS-485接口无源光电隔离转换器的设计,采用简单实用的串口窃电技术,整个电路使用了新型高速数字光电耦合器HCPL......
在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐......
采用130 nm CMOS工艺,设计一种工作频率在94 GHz的高频无源混频器.该混频器为单平衡式结构,主要采用具有良好高频特性的肖特基势垒......
SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐......
研制了一种2～20GHz超宽带微波倍频器。该倍频器的核心是四只性能一致的肖特基势垒二极管形成的桥形堆，输入、输出电路则采用了适于宽......
结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进......
采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研......
在功率半导体器件中，高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一，选用超结结构替代功率半导体器......
基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和......
