受主态相关论文
用光致荧光方法加选择腐蚀技术研究了MBE GaAs/AlGaAs多量子阱中的非本征发光,对3种非本征峰分别指派为束缚激子、阱边界受主态和......
对掺钒生长半绝缘6H-SiC中钒杂质能级的补偿机理进行了研究。二次离子质谱分析结果表明，氮是SiC中主要存在的浅施主杂质，掺入的......
对主受表面态能级分布与电性能关系进行了研究,指出钡缺位,受主杂质及吸附氧产生不同深度的受主态能级,提出了获得高性能BaTiO半导......
研究有受主态扩散层的Schottky势垒型半导体陶瓷的晶界势垒.通过建立简化模型,引入参数K(扩散层内与耗尽层内的正空间电荷浓度之比......
该文采用第一性原理赝势法研究了氮掺杂于ZnO中其化合价变化的情况,研究结果表明氮掺杂于ZnO中取代氧原子的氮原子其受主态并非是......
材料Au/nGaN在600℃温度淬火后，利用电流－电压测量、XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒。电流－电压测量得到肖特基势垒平均......
已知，在使用ＰＥＣＶＤ法沉积的硅薄膜中，掺硼所获得的最高室温电导率要比在同样沉积条件下掺磷膜低一个数量级。我们用ＳＩＭＳ及声表面技术测得，氢化硅......
分析了n型半导化TiO2压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理......
