场氧化层相关论文
介绍了一种改进型RFLDMOS器件。通过对传统RFLDMOS器件的工艺流程进行修改，并在漂移区上方引入场氧化层结构，改善了器件的准饱和现象......
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理......
