高压模拟开关在现代超声领域发挥关键作用。综合考量传输速度、导通电阻、通道隔离度等性能指标,利用红外热成像技术解决了电路漏......

0.8μm高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(Inter-Metal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路.通......

目的分析兰成渝成品油管道某管段绝缘接头漏电失效的原因以及对阴极保护有效性产生的影响。方法通过电位测量、电阻测试、漏电率测......

半导体器件发生机械应力失效的直接原因是外部应力大于器件自身强度,文章以两种典型机械应力失效产品为例,采用EMMI、SEM、OBIRCH......

对有漏电缺陷的倒装LED芯片样品进行失效分析,得出电极结构缺陷是导致芯片漏电的主要原因。这些缺陷包括:Ag反射层与外延片剥离、......

在电子元器件封装领域中,塑封器件正逐步替代气密性封装器件。目前工业级塑封器件已不能满足器件的高可靠性要求,工业级塑封器件在......

针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理......