采用K·p方法理论，考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素，通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN／AIlnGaN，InGaN／GaN，InGa......

在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分......