AlInGaN相关论文
研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质.通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的测量,发现In的掺入量随着生长温度的降低而增......
利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInG......
计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场，对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Read-Ha......
GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明，采用InGaN／GaN三元和AlInGaN／GaN四元两种不同量子阱结构的......
利用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮（AlInGaN）四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的Al......
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生......
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AlxGa1-xN是直接带隙宽禁带半导体材料,化学性质稳定,耐高温,抗辐射,波长在200～365 nm范围内连续可调,在空气净化、杀菌与消毒、半......
四元AlxInyGa1-x-yN化合物半导体材料,可以通过调节Al和In的组分,实现带隙和晶格常数的独立调控,可以获得量子阱垒层与Al Ga N类似......
Ⅲ族氮化物(GaN,AlN及InN)半导体材料具有优异的光学和电学特性,已引起人们广泛的关注和研究。特别是在任意组分下都具有直接带隙......
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分......
