在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋......

为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入......

为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度，埋氧层中分别注入......

提出一种氧化增强注氧隔离工艺，在退火前氧化得到SiO2层，再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所......

研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术,发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况。通过增加埋氧加固技术可以......