注氧隔离相关论文
研究了以10keY X射线为辐照源对注氧隔离（SIMOX）SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keY X射线对埋氧层加固样品与未......
SOI技术作为21世纪的硅集成技术正在日益受到人们的青睐。从SOI技术的发展过程、制备工艺、开发应用及市场预测几个方面评述了SOI......
针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离（SIMOX）材料进行改性，在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS／SOI反相器，并对其进行^60Co......
实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备 SOI(Silicon On Insulator)材料埋层结构的影 响.用截面透射电子显微镜和二次离子质......
提出一种氧化增强注氧隔离工艺，在退火前氧化得到SiO2层，再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所......
介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移，泄漏电流和32位DSP电路静态......
研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第......
绝缘体上的硅(SOI)材料以其独特的结构在低压、低功耗电路,高温、抗辐照器件和光电子学等方面都有广泛的应用,并且与成熟的硅工艺......
适于高温环境应用的压力传感器的相关研究工作备受关注。以注氧隔离(SIMOX)技术SOI晶圆为基础,探讨了单晶硅高温压阻式压力传感器......
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离（sIMOx）绝缘体上硅（sOI）材料作出改性，分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS／SOI器......
SOI(Silicon On Insulator，绝缘层上硅)硅片用于制造集成电路具有高速、低功耗、集成度高等优势。SIMOX(Separate by Implant Oxyge......
绝缘层上的硅（SOI）技术以其独特的结构在低压、低功耗电路，高温、抗辐照器件以及集成光电子器件方面有着广泛的应用，被誉为“21世纪的......
