堆垛次序相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

堆垛次序相关论文

PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展

作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势，被认为是制作高......

期刊

碳化硅晶体物理气相输运堆垛次序多型夹杂缺陷抑制晶型鉴别

β-SiC晶须的孪晶构型观察

利用透射电子显微镜研究了气—液—固(VLS)法生长的β—SiC晶须中的孪晶构型。在竹节状的SiC晶须中,β—SiC节与含高密度堆垛层错(......

期刊

孪晶晶须竹节状显微结构透射电子显微镜不全位错衍射谱堆垛次序堆垛层错选区电子衍射

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